負載的電流采樣由串聯在LED負載與地之間的采樣電阻完成，經一級跟隨、一級同相放大之后分別給單片機和PWM控制芯片；電壓采樣由負載和電流采樣電阻上的電壓分壓完成，經一級跟隨分別給單片機和PWM控制芯片。為完成恒壓與恒流模式的切換，分別在電壓采樣回路與電流采樣回路與PWM控制芯片間各加入一個N溝道MOSFET作為電子開關，完成切換。為保證反饋的穩定性在MOSFET后再加一級跟隨后將反饋信號傳遞給PWM控制芯片。

一、方案比較與選擇

1電路拓撲結構方案

方案一：采用反激式拓撲結構的功率因數校正電路，優點是將功率因數校正與電源變換器合二為一，可以大大減少電路的損耗，提高電路的整體效率，缺點是應用在反激式電路的有源功率因數校正控制芯片種類較少，且電路比較復雜，很難設計與單片機合適的接口電路，不容易使用單片機進行控制。

方案二：將功率因數校正電路與主控電路分開，采用Boost型的功率因數校正電路后接電源變換器的方案，優點是電路結構簡單，并不涉及單片機對功率因數校正電路的控制，只需使功率因數校正部分輸出一個穩定的電壓即可，缺點是會一定程度上降低設計的整體效率。

鑒于本題要求步進調壓的功能，需要單片機對PWM控制芯片有一個良好而穩定的控制，故選擇方案二。

2電源變換器方案

方案一：采用半橋變換電路，優點是高頻變壓器利用率高，傳輸功率大，電路效率很高，缺點是電路較復雜，且有直通危險。

方案二：采用單端反激變換電路，優點是電路結構簡單，缺點是高頻變壓器利用率低，需要留有氣隙，電路效率不高。

鑒于本題要求最大負載只有10個1W的led，傳輸功率較小，故采用方案二，即反激式電路拓撲結構。

3閉環反饋控制方案

方案一：采用軟件閉環反饋控制，即使用單片機進行各參數的采樣，然后直接由單片機對PWM控制芯片進行控制，調節占空比。優點是電路結構簡單，缺點是反饋回路會受到采樣精度、采樣速度、單片機運算速度等因素的影響，使反饋系統變得不穩定。

方案二：采用硬件閉環反饋控制，即使用硬件電路構建反饋電路，由PWM控制芯片自身根據反饋信號調節占空比，而單片機對PWM控制芯片只是進行輔助調整。優點是反饋速度快，調節精度高，缺點是易受外部干擾。

4有源功率因數校正方案

方案一：采用UC3854作為有源功率因數校正電路的主控芯片。優點是功率因數校正系數可達99.5%，缺點是外圍電路非常復雜且調試困難，方案二：采用MC33260作為有源功率有源功率因數校正電路的主控芯片。優點是外圍電路簡單，缺點是功率因數校正率與UC3854相比略低。

220VAC經工頻變壓器降壓為36VAC，經開機沖擊電流抑制電路輸入到功率因數校正電路中，再經高頻隔離變壓器給串聯在一起的LED燈供電，在LED燈處分別進行電壓、電流采樣，返回給PWM控制芯片和單片機，由單片機給定基準電壓來控制PWM控制芯片，進而達到控制LED燈恒流可調的目的。

系統總體結構框圖如圖1所示。

圖1系統總體框圖