模擬電路中廣泛地包含電壓基準(referencevoltage)和電流基準(currentreference)。在數(shù)／模轉(zhuǎn)換器、模／數(shù)轉(zhuǎn)換器等電路中，基準電壓的精度直接決定著這些電路的性能。這種基準應該與電源和工藝參數(shù)的關系很小，但是與溫度的關系是確定的。在大多數(shù)應用中，所要求的溫度關系通常分為與絕對溫度成正比(pTAT)和與溫度無關2種。

近年來有研究指出，當漏電流保持不變時，工作在弱反型區(qū)晶體管的柵源電壓隨著溫度升高而在一定范圍內(nèi)近似線性降低。基于該特性，帶隙基準源所采用的基極-發(fā)射極結(jié)可以被工作在弱反型區(qū)的晶體管代替產(chǎn)生低溫度系數(shù)的基準源。文獻中提到采用該設計原理的基準源，利用0．13m工藝的低閾值電壓NMOS管和襯底調(diào)整的pMOS管實現(xiàn)其中的放大器。本文所采用的基準源電路利用傳統(tǒng)帶隙基準源的核心電路原理，通過飽和狀態(tài)MOS等效電阻對pTAT電流動態(tài)反饋補償，基本實現(xiàn)了基準源的穩(wěn)定要求。

1帶隙基準源的基本原理

帶隙基準源可以在0～70℃的溫度范圍內(nèi)有l(wèi)Oppm／℃的溫度系數(shù)。由室溫下溫度系數(shù)為-2．2mV／℃的pN結(jié)二極管產(chǎn)生電壓為VBE。同時也產(chǎn)生一個熱電壓VT(VT=kT／q)，其與絕對溫度(pTAT)成正比，室溫下的溫度系數(shù)為0．085mV／℃，則輸出電壓為：

將式(1)對溫度求導，用VBE和VT的溫度系數(shù)求出理論上不依賴于溫度的K值。為了達到所希望的性能，更詳細地分析VBE與溫度的關系是必須的。帶隙基準就是將負溫度系數(shù)的電壓與正溫度系數(shù)的電壓加權相加來抵消溫度對輸出電壓的影響。

1．1負溫度系數(shù)電壓的產(chǎn)生

雙極晶體管的基極-發(fā)射極電壓具有負溫度系數(shù)，或者說pN結(jié)二極管的正向電壓具有負溫度系數(shù)。從文獻可得到與溫度的關系式：

式中：η為與三極管結(jié)構(gòu)有關的量，其值大約為4；α為與流過三極管的電流有關的一個量，當pTAT電流流過三極管時α為1，當與溫度不相關的電流流過三極管時為O；T0為參考溫度；VBG為硅的帶隙電壓。由式(1)可以看出VBE是一個具有負溫度系數(shù)的電壓。

1．2正溫度系數(shù)電壓的產(chǎn)生

兩個三極管工作在不同的電流密度下，它們的基極-發(fā)射極電壓的差值與絕對溫度成正比。如果兩個同樣的三極管(IS1=IS2)，偏置的集電極電流分別為nI0和I0，并忽略他們的基極電流，那么：

式中：△VBE表現(xiàn)出正溫度系數(shù)，而且此溫度系數(shù)是與溫度無關的常量。

1．3一階溫度補償帶隙基準源

將正、負溫度系數(shù)的電壓加權相加，就可以得到一個近似與溫度無關的基準電壓。常見的一階可調(diào)基準源電路如圖1所示。

式中：N為Q2與Q1的發(fā)射結(jié)面積之比，式(4)中第一項具有負的溫度系數(shù)，第二項具有正、負溫度系數(shù)，合理設計R0與R1的比值和N的值，就可以得到在某一溫度下的零溫度系數(shù)的一階基準電壓。式(5)中方括號內(nèi)是約為1．25V的一階溫度無關基準電壓，通過調(diào)節(jié)R2／R0的比值，可以得到不同大小的基準電壓。

2電路結(jié)構(gòu)及原理分析

圖2為本文設計的基準源整體電路圖，包含帶隙核心電路、反饋補償電路和啟動電路。其中虛框a為帶隙核心電路，虛框b為偏置及反饋補償電路，虛框c為基準源啟動電路。

2．1帶隙核心電路

圖2中，由Mp1～Mp3，MN1，MN2，R1，R2和Q1，Q2組成的電路構(gòu)成帶隙核心電路。輸入晶體管的偏置電流由pMOS電流源提供，可通過減小其電流，而不是減小其寬長比來降低負載器件的gm，從而增加其差動放大增益。其中Mp1，Mp2，MN1，MN2均工作在飽和狀態(tài)，Mp1，Mp2復制了Iout，從而確定了IREF。從本質(zhì)上講，IREF被自舉到Iout。選擇一定的MOS管尺寸，如果忽略襯底溝長長度調(diào)制效應，則有Iout=KIREF，因為每個二極管連接的器件都是由一個電流源驅(qū)動的，故IREF和Iout與VDD無關，左右兩支路永遠維持這兩個電流值。雙極晶體管Q1和Q2工作在不同的電流密度下，它們的基極與發(fā)射極間的電壓差與絕對溫度成正比。將與電源無關的偏置電路與雙極晶體管結(jié)合，得到帶隙核心電路。

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