新一代UltraCMOSpE45361是分立式pIN結二極管功率限幅器的單片替代品，可提供可靠且可重復的接收機保護

RFSOI（射頻絕緣體上硅）的發明者及先進射頻解決方案的先驅派更（peregrine）半導體公司宣布推出單片100瓦功率限幅器UltraCMOSpE45361。作為派更半導體公司功率限幅器系列產品的新一代成員，pE45361建立在備受好評的50瓦UltraCMOS功率限幅器取得極大成功的基礎之上，并添加了更高的脈沖功率處理能力、更低的限幅閾值及正向閾值控制功能。UltraCMOS功率限幅器提供了一種取代砷化鎵（GaAs）分立pIN結二極管功率限幅器的單片式方案，可保護設備不會受到過高RF功率、故意干擾及ESD事件的損害。pE45361能夠為測試與測量設備及無線基礎架構收發器中的敏感低噪聲接收機提供可靠且可重復的功率保護。

派更半導體公司全球銷售副總裁ColinHunt表示：派更半導體的單片功率限幅器為我們的客戶提供了一種增強射頻功率保護的新奇而強大的方案。我們推出的pE45361基于我們UltraCMOS限幅器的關鍵射頻性能及物料清單（BOM）成本優勢，并可提供100瓦功率處理能力，實現較低的限幅閾值，從而保護敏感的低噪聲放大器（LNA）。

與pIN結二極管功率限幅器相比，UltraCMOS功率限幅器的響應時間和恢復時間方面加快了10倍，線性度（IIp3）改善了10~40dB，靜電放電（ESD）保護能力提高了20倍。此外，UltraCMOS功率限幅器占用的電路板空間通常也小于pIN結二極管功率限幅器。最后，UltraCMOS功率限幅器可通過低電流壓控管腳（VCTRL）調節限幅閾值，無需配置隔直電容、射頻扼流電感器及偏置電阻器等外接元件。

與其它UltraCMOS功率限幅器一樣，pE45361也設有兩種工作模式：功率限幅和功率反射，從而最大程度地提高性能與靈活性。用戶可通過可編程管腳VCTRL選擇模式。在功率限幅模式下，限幅器對負載不起作用。當輸入射頻信號功率超過VCTRL設定的限幅閾值時，限幅器將限制輸入的射頻功率。在極端環境中使用功率反射模式時，限幅器將把大部分入射功率反射回功率源。

產品特性、封裝、價格與供貨

pE45361功率限幅器覆蓋10MHz~6GHz頻段，可為高性能功率限幅應用提供卓越的功率保護功能。該限幅器可處理高達50dBm或100瓦的大脈沖功率，可調限幅閾值為7dBm~13dBm，正向閾值控制為0伏至0.3伏。在6GHz時，pE45361的低插入損耗為0.95dB，高回波損耗為12dB。pE45361的快速響應時間僅為0.6納秒，迅捷恢復時間為1納秒，線性度（IIp3）達37dBm。pE45361靜電放電功能極強，可達7kVHBM。

量產零件與評估工具現已上市。pE45361采用緊湊型12引腳3x3mmQFN封裝，訂購1萬片的價格為每片4.30美元。