身處社會，我們每天都在創建、使用和分享前所未有的數據，無論是在我們的個人生活中還是在我們工作的時候。此外，聯接數十億設備并不斷增長的物聯網(IoT)正在創建數據，完全無需人類幫助。隨著移動技術發展到第五代(5G)，將有能力創建更多的數據并以比以往任何時候都更快的速度運行，從而為數據增長的趨勢提供更大的動力。

給云供電

身處社會，我們每天都在創建、使用和分享前所未有的數據，無論是在我們的個人生活中還是在我們工作的時候。此外，聯接數十億設備并不斷增長的物聯網(IoT)正在創建數據，完全無需人類幫助。隨著移動技術發展到第五代(5G)，將有能力創建更多的數據并以比以往任何時候都更快的速度運行，從而為數據增長的趨勢提供更大的動力。

所有這些數據都需要存儲在某處，以進行處理和保存記錄。我們日漸轉向云以保護這重要信息。但是，云并不是個虛無的地方，它以巨大的數據中心的形式牢固地扎根，這些數據中心的規模和數量正在迅速增長，以應對對額外存儲容量不斷增長的需求。

毫不奇怪，數據中心需要大量的電力才能運行。目前，據估計，它們消耗了美國國內約3%的電力，盡管這一比例預計在未來20年內將上升到15%。每年出貨的服務器超過一千萬臺，這一數字還在以每年約5%的速度增長，以滿足包括虛擬實境(VR)/增強實境(AR)、人工智能(AI)訓練和IoT等新興應用日益增長的需求。

電源能效和可靠性可能是數據中心行業最重要的議題，因為物理空間非常寶貴，電能成本不斷上漲，而系統可靠性至關重要。隨著能效的提高，工作溫度下降，這本身就提高了可靠性。這也使電源方案更緊湊，從而節省空間，或支持可用空間納入更多的計算能力和存儲容量。

盡管進行了可靠性設計，但在數據中心的使用壽命期間，具有活動部件的組件如磁盤驅動器和風扇仍會磨損并且可能會發生故障。因此，必須將電源系統設計為允許對這些器件進行熱插拔、交換，以便維修和升級不會導致系統停機。

技術提供方案解決電源挑戰

為應對數據中心帶來的挑戰，電源方案必須更小、更緊湊、更高效和更精密。MOSFET技術有顯著改進，支持將控制IC和MOSFET集成在一個非常高效和緊湊的封裝中。

例如，安森美半導體的NCP3284DC-DC轉換器在5mmx6mm的微小面積內具有30A連續（45A脈沖）的能力，工作頻率高達1MHz，可減少外部電感器和電容器的尺寸和重量。該集成器件還集成多種保護功能和可編程軟啟動。

功率密度水平更高的是智能電源級(SPS)方案如FDMF3170。SPS集成MOSFET與先進的驅動器IC及電流和溫度傳感器，支持高電流、高頻、同步降壓DC-DC轉換器設計。

這全集成的方法使SPS在驅動器和MOSFET的動態性能、系統寄生降低和MOSFET導通電阻得以優化。FET對經過優化，可實現最高能效，尤其是在對現代能效要求如80plus非常嚴格的低占空比應用。

圖1：多相控制器和DrMOS電源級提供方案

高精度電流監控（IMON）可用于替代電感器DCR或電阻器檢測方法，從而消除了通常與此類方法相關的損耗。

在現代數據中心服務器系統中，即使是不起眼的保險絲也進行了改造。重要的是，在RAID系統、磁盤驅動器電源和服務器I/O卡等應用中，玻璃盒中的熔絲已被基于半導體的智能電子熔絲(eFuse)取代。eFuse使用低導通電阻MOSFET，在正常運行期間和發生熱插拔時保護外設。實際上，它們可用于可能發生電源故障或負載故障以及可能需要限制浪涌、沖擊電流的任何應用。除了為器件、連接器和PCB走線提供保護之外，它們還能由系統控制，并且許多都可提供有用的遙測功能如監測溫度和電流。

安森美半導體的NCP81295/6熱插拔控制器支持最高60A峰值電流（連續50A），基于0.8m?6?8的內部MOSFET以實現高效運行。它們采用5mmx5mm32引腳QFN封裝，提供閂鎖或自動重試版本，適合在高達+125C的溫度下使用。

另一個eFuseNIS5021是12V、12A系列器件，常與熱插拔硬盤一起使用。它緩沖HDD，使其不處于可能損壞敏感電路的任何過輸入電壓。內置電壓鉗位限制輸出電壓以保護負載，同時保持連續供電，使驅動器可持續正常工作。

復雜系統如服務器通常需要對其電源系統進行智能控制，以確保正常運行以及盡可能高的能效水平。負載管理器件支持對電源軌進行分段，從而實現精細控制。允許電路的未使用部分斷電，有助于啟動時上電排序和降低運營成本。反過來，較低的功率水平會導致系統中的熱量減少，從而提高可靠性和增加使用壽命。大多數負載開關還支持轉換速率控制，并可在故障條件下提供保護。

系統設計人員使用集成的負載開關如安森美半導體的NCP455xx系列，可獲得這些好處，且增加的系統器件數量盡可能少。高性能器件提供緊湊的方案，比分立式方案減少約60％的PCB占用空間。

寬禁帶技術

可能對服務器電源系統的尺寸、可靠性、能效和運行成本產生積極影響的最重大的進展是邁向基于寬禁帶(WBG)材料如氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的半導體。WBG器件設計比硅基器件具有更高的能效，還能在更高的頻率和更高的溫度下工作。

圖2：寬禁帶材料比較

例如，在服務器電源應用中常見的5kW升壓轉換器中，用SiC開關代替Si開關可在80kHz左右的頻率下降低73％的損耗，從而顯著提高系統能效。這有助于使系統更小，因為需要的熱管理更少，還可使系統運行溫度更低，從而提高可靠性和實現更高的器件和系統密度。

盡管SiCMOSFET比同等IGBT更貴，但在無源器件如電感和電容方面的相關成本節省了75％，這導致SiC設計比Si設計的總物料單(BOM)成本低。更重要的是，在服務器安裝的整個生命周期中，節省的能源成本總計可達數萬甚至數百萬美元。

SiCMOSEFT：接近理想的開關

很好地結合低導通電阻(Rds-on)和低開關損耗，用于更高的電壓(600V)

圖3：SICMOSFET的優勢

小結

對海量和日增的數據存儲的需求正創建一個非常有競爭力的數據中心環境。占位空間和電能是最大兩個的成本，隨著運營商尋求降低這些成本，他們要求更高效、更可靠和更小的電源方案用于服務器和存儲設備。

雖然在設計成功的服務器電源方案時需要考慮許多方面，但高度集成的器件如集成的MOSFET、SPS、eFuse和負載管理等使設計人員能夠創建高效、緊湊和可靠的精密電源方案。eFuse在維護正常運行時間方面發揮著關鍵作用，因為它們便于容易出現故障的設備如HDD和風扇進行熱交換。

展望不久的將來，WBG材料有望在尺寸和性能方面實現進一步的改變，并提高可靠性和能效，從而減少運營支出。現在，WBG方案的BOM成本可與類似的硅設計相當或更低，因此這些器件的采用有望加速。