TOpSwitchGX系列是美國powerIntegrations公司繼TOpSwitchFX之后，于2000年底新推出的第四代單片開關(guān)電源集成電路，并將作為主流產(chǎn)品加以推廣。下面詳細(xì)闡述TOpSwitchGX的性能特點、產(chǎn)品分類和工作原理。

1TOpSwitchGX的性能特點及產(chǎn)品分類

1.1性能特點

（1）該系列產(chǎn)品除具備TOpSwitchFX系列的全部優(yōu)點之外，還將最大輸出功率從75W擴(kuò)展到250W，適合構(gòu)成大、中功率的高效率、隔離式開關(guān)電源。

（2）采用TO2207C封裝的TOp242～TOp249產(chǎn)品，新新增了線路檢測端（L）和從外部設(shè)定極限電流端（X）這兩個引腳，用來代替TOpSwitchFX的多功能端（M）的全部控制功能，使用更加靈活、方便。

（3）將開關(guān)頻率提高到132kHz，這有助于減小高頻變壓器及整個開關(guān)電源的體積。

（4）當(dāng)開關(guān)電源的負(fù)載很輕時，能自動將開關(guān)頻率從132kHz降低到30kHz（半頻模式下則由66kHz降至15kHz），可降低開關(guān)損耗，進(jìn)一步提高電源效率。

（5）采用了被稱作EcoSmart的節(jié)能新技術(shù)，顯著降低了在遠(yuǎn)程通／斷模式下芯片的功耗，當(dāng)輸入交流電壓是230V時，芯片功耗僅為160mW。

1.2產(chǎn)品分類

根據(jù)封裝形式和最大持續(xù)輸出功率的不同，TOpSwitchGX系列可劃分成三大類、共14種型號，詳見表1。型號中的后綴p、G、Y分別表示DIp8B、SMD8B、TO2207C封裝。

表1TOpSwitchGX的產(chǎn)品分類及最大持續(xù)輸出功率pOM產(chǎn)品型號固定交流輸入（110/115V/230V±15％）寬范圍交流輸入（85V～265V）密封式電源模塊敞開式電源密封式電源模塊敞開式電源TOp242p/G9W15W6.5W10WTOp242Y10W22W7W14WTOp243p/G13W25W9W15WTOp243Y20W45W15W30WTOp244p/G16W30W11W20WTOp244Y30W65W20W45WTOp245Y40W85W26W60WTOp246Y60W125W40W90WTOp247Y85W165W55W125WTOp248Y105W205W70W155WTOp249Y120W250W80W180W2TOpSwitchGX的引腳功能

TOpSwitchGX的引腳排列如圖1所示。其中，TO2207C封裝有6個引出端，它們分別是控制端C，線路檢測端L，極限電流設(shè)定端X，源極S，開關(guān)頻率選擇端F，漏極D。利用線路檢測端（L）可實現(xiàn)四種功能：過壓（OV）保護(hù)；欠壓（UV）保護(hù)；電壓前饋（當(dāng)電網(wǎng)電壓過低時用來降低最大占空比）；遠(yuǎn)程通／斷（ON／OFF）和同步。而利用極限電流設(shè)定端（X），可從外部設(shè)定芯片的極限電流。DIp8B和SMD8B封裝仍保留多功能端M，并未設(shè)置開關(guān)頻率選擇端F，故等效于四端器件。其余引腳功能與TOpSwitchFX相同。

圖1TOpSwitchGX的引腳排列(a)TO2207C封裝(b)DIp8B和SMD8B封裝

圖2TOpSwitchGX的內(nèi)部框圖

3TOpSwitchGX的工作原理

采用Y封裝的TOpSwitchGX系列產(chǎn)品，其內(nèi)部框圖如圖2所示。電路重要由18部分組成：

（1）控制電壓源；

（2）帶隙基準(zhǔn)電壓源；

（3）頻率抖動振蕩器；

（4）并聯(lián)調(diào)整器／誤差放大器；

（5）脈寬調(diào)制器（含pWM比較器和觸發(fā)器）；

（6）過流保護(hù)電路；

（7）門驅(qū)動級和輸出級；

（8）具有滯后特性的過熱保護(hù)電路；

（9）關(guān)斷／自動重起動電路；

（10）高壓電流源；

（11）軟起動電路；

（12）欠壓比較器；

（13）電流極限比較器；

（14）線路比較器；

（15）線路檢測端和極限電流設(shè)定端的內(nèi)部電路；

（16）輕載時自動降低開關(guān)頻率的電路；

（17）停止邏輯；

（18）開啟電壓為1V的電壓比較器。

它與TOpSwitchFX的重要差別為：新新增了第（16）、（17）、（18）項單元電路；給電流極限調(diào)節(jié)器也新增了軟起動輸出端；將頻率抖動振蕩器出現(xiàn)的開關(guān)頻率提升到132kHz（全頻模式）或66kHz（半頻模式）；給頻率抖動振蕩器新增了一個“停止邏輯”（STOpLOGIC）電路，使之工作更為可靠。TOpSwitchGX的工作原理仍然是利用反饋電流IC來調(diào)節(jié)占空比D，達(dá)到穩(wěn)壓目的。舉例說明，當(dāng)輸出電壓VO降低時，經(jīng)過光耦反饋電路使得IC減小，占空比則增大，輸出電壓隨之升高,最終使VO維持不變。

TOpSwitchGX與TOpSwitchFX的性能比較，詳見表2。下面重點闡述TOpSwitchGX新增功能電路的原理。

3.1輕載時自動降低開關(guān)頻率的電路

對TOpSwitchGX而言，開關(guān)頻率及占空比能隨輸出端負(fù)載的降低而自動減小。其減小量與控制端流入的電流成反比。當(dāng)控制端電流逐漸增大時，占空比能線性地減少到10％，但是當(dāng)負(fù)載很輕時，占空比可低于10％。與此同時，開關(guān)頻率也減少到最小值，以提高開關(guān)電源在輕載下的效率。當(dāng)開關(guān)頻率的正常值（即典型值）為132kHz時，頻率最小值為30kHz，在半頻模式下開關(guān)頻率正常值為132kHz／2=66kHz，此時頻率最小值就降至15kHz。該特性能保證開關(guān)電源在輕載時，仍保持良好的調(diào)節(jié)功能，并且降低了電源的開關(guān)損耗。開關(guān)頻率f和占空比D與控制端電流IC的關(guān)系如圖3所示。

圖3開關(guān)頻率和占空比與控制端電流的關(guān)系曲線

(a)fIC關(guān)系曲線(b)DIC關(guān)系曲線功能TOpSwitchFXTOpSwitchGXTOpSwitchGX輕載時的工作方式跳過周期降低開關(guān)頻率及占空比·提高輕載下的電源效率·降低空載損耗Y封裝將線路檢測、外部極限電流設(shè)定分成兩個引腳：L，X線路檢測及外部極限電流設(shè)定合并成一個引腳（M），用戶只能從中選用一種功能能同時實現(xiàn)過壓和欠壓保護(hù)、電壓前饋、遙控和外部設(shè)定極限電流等多項功能·外部設(shè)計更加靈活，允許同時運用各種功能極限電流設(shè)定范圍（40％～100％）ILIMIT（30％～100％）ILIMIT·設(shè)定范圍更寬，可設(shè)計在持續(xù)模式下，減小高頻變壓器的尺寸p封裝的極限電流與Y封裝相同TOp243p和TOp244p降低了內(nèi)部極限電流偏差的余量·在低電壓時，能減小輸出端的交流紋波電壓·在低功耗下允許工作在更加持續(xù)的模式Y封裝的極限電流100％90％（與RSD（ON）相同）·減小變壓器尺寸·對用戶更加方便熱關(guān)斷溫度及滯后溫度125℃（滯后溫度為70℃）130℃（滯后溫度為75℃）·在高溫應(yīng)用時允許輸出較大的功率最大占空比時的開啟電流90μA60μA·在低電壓時，降低輸出電壓頻率的波動·降低Dmax，優(yōu)化設(shè)計電網(wǎng)電壓過低時的負(fù)向關(guān)斷閾值——等于正向（開啟）閾值的40％·當(dāng)電網(wǎng)電壓降低時，能供應(yīng)精確的關(guān)斷閾值電壓軟起動時間10ms（僅控制占空比）10ms（能同時限制占空比和極限電流）·在軟起動時逐漸新增極限電流和占空比，能進(jìn)一步降低峰值電壓和電流·在起動時可減輕元器件的負(fù)擔(dān)

表2TOpSwitchGX與TOpSwitchFX的性能比較

進(jìn)一步分析可知，開關(guān)損耗是由片內(nèi)功率開關(guān)管MOSFET的電容損耗和開關(guān)交疊損耗這兩部分構(gòu)成的。這里講的電容損耗亦稱CV2f損耗，它是指儲存在MOSFET輸出電容和高頻變壓器分布電容上的電能，要在每個開關(guān)周期開始時被泄放掉而出現(xiàn)的損耗。交疊損耗則是由于MOSFET存在開關(guān)時間而出現(xiàn)的。在MOSFET的通／斷過程中，有效的電壓和電流同時加到MOSFET上的時間很短，而MOSFET的開關(guān)交疊時間較長，這勢必造成功率損耗。單片開關(guān)電源內(nèi)部加有很小的米勒（Miller）電容，使得MOSFET的開關(guān)速度更快，其交疊損耗僅為分立開關(guān)電源的1/10左右，可忽略不計。但是，由TOpSwitchGX構(gòu)成的開關(guān)電源在額定輸出功率下，MOSFET的電容損耗仍占總功耗的7％左右，這是不容忽視的問題。特別當(dāng)開關(guān)電源的負(fù)載很輕時，電容損耗在總功耗中所占份額還會進(jìn)一步新增。因此，輕載時令TOpSwitchGX處于低頻開關(guān)狀態(tài)，這關(guān)于降低MOSFET的電容損耗至關(guān)重要。

3.2內(nèi)部極限電流與外部可編程極限電流

TOpSwitchGX的漏極極限電流，既可由內(nèi)部設(shè)定，亦可從外部設(shè)定。這是它與TOpSwitchⅡ的另一顯著差別。其內(nèi)部自保護(hù)極限電流ILIMIT的最小值、典型值和最大值見表3，測試條件為芯片結(jié)溫TJ=25℃。ILIMIT會隨環(huán)境溫度的升高而增大。TOpSwitchGX在每個開關(guān)周期內(nèi)都要檢測MOSFET漏源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)上的漏極峰值電流ID(pK)。當(dāng)ID(pK)>ILIMIT時，過流比較器就輸出高電平，依次經(jīng)過觸發(fā)器、主控門和驅(qū)動級，將MOSFET關(guān)斷，起到過流保護(hù)用途。將TOpSwitchGX與TOpSwitchⅡ進(jìn)行比較后不難發(fā)現(xiàn)，TOpSwitchGX的極限電流容許偏差要小得多。例如TOp223p/Y的容差為1.00±0.1A，相對偏差達(dá)(±0.1/1.00)×100％=±10％。而TOp244p/G的容差為1.00±0.07A，相對偏差減小到(±0.07/1.00)×100％=±7％。這表明，用TOp244p/G代替TOp223p/Y來設(shè)計開關(guān)電源時，由于TOp244p/G不要留出過多的極限電流余量并且它把最大占空比提高到78％（TOpSwitchⅡ僅為67％），因此在相同的輸入功率／輸出電壓條件下，TOpSwitchGX要比同類TOpSwitchⅡ的輸出功率高出10％～15％，并且還能降低外圍元件的成本。

為方便用戶使用，也可從外部通過改變極限電流設(shè)定端（X）的流出電流IX（用負(fù)值表示，單位是μA），來設(shè)定極限電流I′LIMIT值。I′LIMIT的設(shè)定范圍是（30％

～100％）·ILIMIT。

表3內(nèi)部自保護(hù)極限電流值TOpSwitchGX系列產(chǎn)品型號極限電流ILIMIT（A）最小值（ILIMIT(min)）典型值（ILIMIT）最大值（ILIMIT（max））TOp242p/G/Y0.4180.450.481TOp243p/G0.6970.750.802TOp243Y0.8370.900.963TOp244p/G0.9301.001.070TOp244Y1.2561.351.445TOp245Y1.6741.801.926TOp246Y2.5112.702.889TOp247Y3.3483.603.852TOp248Y4.1854.504.815TOp249Y5.0225.405.778

3.3遠(yuǎn)程通／斷

TOpSwitchGX是通過改變線路檢測端流入（或流出）電流IX的大小及方向，來控制開關(guān)電源通、斷狀態(tài)的。線路檢測端內(nèi)部還新增了開啟電壓為1V的電壓比較器，此開啟電壓可用于遠(yuǎn)程通／斷控制。關(guān)于p/G封裝的芯片，把晶體管或光耦合器的輸出接到多功能端（M）與源極（S）之間，就用正邏輯信號（高電平）起動開關(guān)電源，加低電平信號則關(guān)斷；而接在多功能端與控制端（C）之間，就改用負(fù)邏輯信號（低電平）起動開關(guān)電源，加高電平則關(guān)斷。關(guān)于Y封裝的芯片，將晶體管或光耦的輸出分別接極限電流設(shè)定端（X）、線路檢測端（L），亦可對開關(guān)電源的通／斷進(jìn)行遙控。