開關電源EMI整改中，有關不同頻段干擾原因及抑制辦法：

1MHZ以內----以差模干擾為主

1.增大X電容量；

2.添加差模電感；

3.小功率電源可采用pI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。

1MHZ---5MHZ---差模共模混合

采用輸入端并聯一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并以解決，

1.關于差模干擾超標可調整X電容量,添加差模電感器，調差模電感量;

2.關于共模干擾超標可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制；

3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。

5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。

關于外殼接地的，在地線上用一個磁環串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減用途;

可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉環.

處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯電容的大小。

關于20--30MHZ，

1.關于一類產品可以采用調整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；

2.調整一二次側間的Y1電容位置及參數值；

3.在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調整變壓器的各繞組的排布。

4.改變pCBLAYOUT；

5.輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感；

6.在輸出整流管兩端并聯RC濾波器且調整合理的參數；

7.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE；

8.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。

9.可以用增大MOS驅動電阻.

30---50MHZ普遍是MOS管高速開通關斷引起

1.可以用增大MOS驅動電阻；

2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管；

3.VCC供電電壓用1N4007慢管來解決；

4.或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感；

5.在MOSFET的D-S腳并聯一個小吸收電路；

6.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE；

7.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容；

8.pCB心LAYOUT時大電解電容，變壓器，MOS構成的電路環盡可能的?。?/p>

9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構成的電路環盡可能的小。

50---100MHZ普遍是輸出整流管反向恢復電流引起

1.可以在整流管上串磁珠；

2.調整輸出整流管的吸收電路參數；

3.可改變一二次側跨接Y電容支路的阻抗,如pIN腳處加BEADCORE或串接適當的電阻；

4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET;鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點）。

5.新增屏蔽銅箔抑制向空間輻射.

200MHZ以上開關電源已基本輻射量很小，一般可過EMI標準

補充說明:

開關電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的,以上未加綴述.

開關電源是高頻產品,pCB的元器件布局對EMI.,請密切注意此點.

開關電源若有機械外殼,外殼的結構對輻射有很大的影響.請密切注意此點.

主開關管,主二極管不同的生產廠家參數有一定的差異,對EMC有一定的影響.