鋰離子電池芯片功能用途

1、保護芯片正常情況下運轉(zhuǎn)：

保護芯片上MOS管一開始很有可能正處于關(guān)掉狀況，電池接好保護芯片后，務(wù)必先開啟MOS管，P+與P-端才有輸出電壓，開啟適用最簡單的方法用一輸電線把B-與P-接線。

2、過工作電流產(chǎn)品檢驗的設(shè)計構(gòu)思

當(dāng)VM接線端子工作電壓高于過工作電流1產(chǎn)品檢驗工作電壓，并且這一個狀況在過工作電流1產(chǎn)品檢驗響應(yīng)時間上述時，關(guān)掉放電用的FET進而終止放電。

當(dāng)VM接線端子工作電壓高于過工作電流2產(chǎn)品檢驗工作電壓，并且這一個狀況在過工作電流2產(chǎn)品檢驗響應(yīng)時間上述時，關(guān)掉放電用的FET進而終止放電。

3、過電壓產(chǎn)品檢驗的設(shè)計構(gòu)思

當(dāng)鋰離子電池突然出現(xiàn)過充電時，過頭充電比較器跳變，過充電產(chǎn)品檢驗工作電壓VCU從H變成L,經(jīng)由過充電產(chǎn)品檢驗響應(yīng)時間后，全面禁止電池充電。與此同時，開關(guān)電源電路的導(dǎo)出TCU為H,經(jīng)由一個反饋電路使過充電比較器的輸入工作電壓升高，所以電池電壓務(wù)必降低更多才能使比較器導(dǎo)出變?yōu)镠.這就實現(xiàn)了過充電遲滯工作電壓的設(shè)計過程。

當(dāng)電池過放電時，過放電產(chǎn)品檢驗工作電壓VDL從H變?yōu)長,經(jīng)由時間TDL后，全面禁止電池放電。此時，根據(jù)0V充電全面禁止模塊使VM升高，進而五個比較器的使能端SD跳變?yōu)闊o效狀況，此時開關(guān)電源電路中的五個比較器都不運轉(zhuǎn)，并且振蕩器也不運轉(zhuǎn)，開關(guān)電源電路步入休眠模式。當(dāng)VM降低使SD再次發(fā)生改變時，開關(guān)電源電路解除休眠模式。休眠模式的工作電流不能高于100nA.

4、過流保護：

在P+與P-上接好一合適的負(fù)載后，電池開始放電其電流方向如I2，工作電流從電池的正極經(jīng)負(fù)載、D2、MOS1到電池的負(fù)極，(這個時候MOS2被D2短路);當(dāng)負(fù)載突然之間減小，IC根據(jù)VM引腳取樣到突然之間變大工作電流而出現(xiàn)的工作電壓這個時候IC取樣并傳出指令，讓MOS1結(jié)束，控制回路斷開，電池被保護了。

5、過流保護電路：

在P+與P-上接上空負(fù)載后，電池開始放電其電流方向如I2，工作電流從電池的正極經(jīng)負(fù)載、D2、MOS1到電池的負(fù)極，(這個時候MOS2被D2短路);IC根據(jù)VM引腳取樣到突然之間變大工作電流而出現(xiàn)的工作電壓這個時候IC取樣并傳出指令，讓MOS1結(jié)束，控制回路斷開，電池被保護了。

鋰離子電池芯片工作原理

1.鋰電保護芯片休眠模式

CW1055步入過放保護狀況，并高于休眠模式延長時間時間(Tslp)，則CW1055會步入休眠模式。DO維持低電平，CO維持高阻態(tài)，維護目前擁有充放電MOSFET的狀況。休眠模式解除條件：VM工作電壓正處于Vslp工作電壓以下。

2.通常狀況的工作原理

通常狀況下，即電池電壓在過放電產(chǎn)品檢驗工作電壓(VDL)上述且在過充電產(chǎn)品檢驗工作電壓(VCU)以下，VM接線端子的工作電壓在充電器產(chǎn)品檢驗工作電壓(VCHA)上述且在過工作電流1產(chǎn)品檢驗工作電壓以下的情況下，設(shè)計構(gòu)思振蕩器模塊不運轉(zhuǎn)，充電控制用MOSFET和放電控制用MOSFET的兩方均打開。這個時候也可以開展自由的充電和放電。