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有關(guān)鋰離子電池保護(hù)板常見不良介紹

鉅大鋰電  |  點(diǎn)擊量:0  |  2020年11月02日  

一、無閃現(xiàn)、輸出電壓低、帶不起負(fù)載


此類不良首要排除電芯不良(電芯原本無電壓或電壓低),假設(shè)電芯不良則應(yīng)檢驗(yàn)保護(hù)板的自耗電,看是否是保護(hù)板自耗電過大導(dǎo)致電芯電壓低。假設(shè)電芯電壓正常,則是因?yàn)楸Wo(hù)板整個(gè)回路不通(元器件虛焊、假焊、FUSE不良、PCB板內(nèi)部電路不通、過孔不通、MOS、IC損壞等)。具體分析


過程如下:


(一)、用萬用表黑表筆接電芯負(fù)極,紅表筆依次接FUSE、R1電阻兩端,IC的Vdd、Dout、Cout端,P+端(假定電芯電壓為3.8V),逐段進(jìn)行分析,此幾個(gè)檢驗(yàn)點(diǎn)都應(yīng)為3.8V。若不是,則此段電路有問題。


1、FUSE兩端電壓有改動(dòng):檢驗(yàn)FUSE是否導(dǎo)通,若導(dǎo)公例是PCB板內(nèi)部電路不通;若不導(dǎo)公例FUSE有問題(來料不良、過流損壞(MOS或IC操控失效)、質(zhì)料有問題(在MOS或IC動(dòng)作之前FUSE被燒壞),然后用導(dǎo)線短接FUSE,持續(xù)往后分析。


2、R1電阻兩端電壓有改動(dòng):檢驗(yàn)R1電阻值,若電阻值失常,則或許是虛焊,電阻自身開裂。若電阻值無失常,則或許是IC內(nèi)部電阻出現(xiàn)問題。


3、IC檢驗(yàn)端電壓有改動(dòng):Vdd端與R1電阻相連。Dout、Cout端失常,則是因?yàn)镮C虛焊或損壞。


4、若前面電壓都無改動(dòng),檢驗(yàn)B-到P+間的電壓失常,則是因?yàn)楸Wo(hù)板正極過孔不通。


(二)、萬用表紅表筆接電芯正極,激活MOS管后,黑表筆依次接MOS管2、3腳,6、7腳,P-端。


1.MOS管2、3腳,6、7腳電壓有改動(dòng),則標(biāo)明MOS管失常。


2.若MOS管電壓無改動(dòng),P-端電壓失常,則是因?yàn)楸Wo(hù)板負(fù)極過孔不通。


二、短路無保護(hù)


1、VM端電阻出現(xiàn)問題:可用萬用表一表筆接IC2腳,一表筆接與VM端電阻相連的MOS管管腳,供認(rèn)其電阻值大小。看電阻與IC、MOS管腳有無虛焊。


2、IC、MOS失常:因?yàn)檫^放保護(hù)與過流、短路保護(hù)共用一個(gè)MOS管,若短路失常是因?yàn)镸OS出現(xiàn)問題,則此板應(yīng)無過放保護(hù)功用。


3、以上為正常情況下的不良,也或許出現(xiàn)IC與MOS裝備不良引起的短路失常。如前期出現(xiàn)的BK-901,其型號(hào)為‘312D’的IC內(nèi)延遲時(shí)間過長(zhǎng),導(dǎo)致在IC作出相應(yīng)動(dòng)作操控之前MOS或其它元器件已被損壞。注:其間供認(rèn)IC或MOS是否發(fā)作失常最簡(jiǎn)易、直接的方法便是對(duì)有懷疑的元器件進(jìn)行替換。


三、短路保護(hù)無自恢復(fù)


1、規(guī)劃時(shí)所用IC原本沒有自恢復(fù)功用,如G2J,G2Z等。


2、儀器設(shè)置短路恢復(fù)時(shí)間過短,或短路檢驗(yàn)時(shí)未將負(fù)載移開,如用萬用表電壓檔進(jìn)行短路表筆短接后未將表筆從檢驗(yàn)端移開(萬用表相當(dāng)于一個(gè)幾兆的負(fù)載)。


3、P+、P-間漏電,如焊盤之間存在帶雜質(zhì)的松香,帶雜質(zhì)的黃膠或P+、P-間電容被擊穿,ICVdd到Vss間被擊穿。(阻值只有幾K到幾百K)。


4、假設(shè)以上都沒問題,或許IC被擊穿,可檢驗(yàn)IC各管腳之間阻值。


四、內(nèi)阻大


1、因?yàn)镸OS內(nèi)阻相比較較穩(wěn)定,出現(xiàn)內(nèi)阻大情況,首要懷疑的應(yīng)該是FUSE或PTC這些內(nèi)阻相比較較簡(jiǎn)單發(fā)作改動(dòng)的元器件。


2、假設(shè)FUSE或PTC阻值正常,則視保護(hù)板結(jié)構(gòu)檢測(cè)P+、P-焊盤與元器件面之間的過孔阻值,或許過孔出現(xiàn)微斷現(xiàn)象,阻值較大。


3、假設(shè)以上多沒有問題,就要懷疑MOS是否出現(xiàn)失常:首要供認(rèn)焊接有沒有問題;其次看板的厚度(是否簡(jiǎn)單彎折),因?yàn)閺澱蹠r(shí)或許導(dǎo)致管腳焊接處失常;再將MOS管放到顯微鏡下觀測(cè)是否破裂;終究用萬用表檢驗(yàn)MOS管腳阻值,看是否被擊穿。


五、ID失常


1、ID電阻自身因?yàn)樘摵浮㈤_裂或因電阻質(zhì)料不過關(guān)而出現(xiàn)失常:可從頭焊接電阻兩端,若重焊后ID正常則是電阻虛焊,若開裂則電阻會(huì)在重焊后從中裂開。


2、ID過孔不導(dǎo)通:可用萬用表檢驗(yàn)過孔兩端。


3、內(nèi)部線路出現(xiàn)問題:可刮開阻焊漆看內(nèi)部電路有無斷開、短路現(xiàn)象。


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