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18650鋰離子電池保護板設計方法是什么?

鉅大鋰電  |  點擊量:0  |  2020年11月18日  

鋰離子電池保護板正常的情況下,Vdd為高電平,Vss,VM為低電平,DO、CO為高電平,當Vdd,Vss,VM任何一項參數(shù)變換時,DO或CO端的電平將發(fā)生變化。


1、正常狀態(tài)


在正常狀態(tài)下電路中N1的CO與DO腳都輸出高電壓,兩個MOSFET都處于導通狀態(tài),電池可以自由地進行充電和放電,由于MOSFET的導通阻抗很小,通常小于30毫歐,因此其導通電阻對電路的性能影響很小。此狀態(tài)下保護電路的消耗電流為μA級,通常小于7μA。


2、過充電保護


鋰離子電池要求的充電方式為恒流/恒壓,在充電初期,為恒流充電,隨著充電過程,電壓會上升到4.2V(根據(jù)正極材料不同,有的電池要求恒壓值為4.1V),轉(zhuǎn)為恒壓充電,直至電流越來越小。電池在被充電過程中,假如充電器電路失去控制,會使電池電壓超過4.2V后繼續(xù)恒流充電,此時電池電壓仍會繼續(xù)上升,當電池電壓被充電至超過4.3V時,電池的化學副反應將加劇,會導致電池損壞或出現(xiàn)安全問題。在帶有保護電路的電池中,當控制IC檢測到電池電壓達到4.28V(該值由控制IC決定,不同的IC有不同的值)時,其CO腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷海筕2由導通轉(zhuǎn)為關斷,從而切斷了充電回路,使充電器無法再對電池進行充電,起到過充電保護用途。而此時由于V2自帶的體二極管VD2的存在,電池可以通過該二極管對外部負載進行放電。在控制IC檢測到電池電壓超過4.28V至發(fā)出關斷V2信號之間,還有一段延時時間,該延時時間的長短由C3決定,通常設為1秒左右,以防止因干擾而造成誤判斷。


3、過放電保護


電池在對外部負載放電過程中,其電壓會隨著放電過程逐漸降低,當電池電壓降至2.5V時,其容量已被完全放光,此時假如讓電池繼續(xù)對負載放電,將造成電池的永久性損壞。在電池放電過程中,當控制IC檢測到電池電壓低于2.3V(該值由控制IC決定,不同的IC有不同的值)時,其DO腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷海筕1由導通轉(zhuǎn)為關斷,從而切斷了放電回路,使電池無法再對負載進行放電,起到過放電保護用途。而此時由于V1自帶的體二極管VD1的存在,充電器可以通過該二極管對電池進行充電。由于在過放電保護狀態(tài)下電池電壓不能再降低,因此要求保護電路的消耗電流極小,此時控制IC會進入低功耗狀態(tài),整個保護電路耗電會小于0.1μA。在控制IC檢測到電池電壓低于2.3V至發(fā)出關斷V1信號之間,也有一段延時時間,該延時時間的長短由C3決定,通常設為100毫秒左右,以防止因干擾而造成誤判斷.


4、短路保護


電池在對負載放電過程中,若回路電流大到使U>0.9V(該值由控制IC決定,不同的IC有不同的值)時,控制IC則判斷為負載短路,其DO腳將迅速由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷海筕1由導通轉(zhuǎn)為關斷,從而切斷放電回路,起到短路保護用途。短路保護的延時時間極短,通常小于7微秒。其工作原理與過電流保護類似,只是判斷方法不同,保護延時時間也不相同。除了控制IC外,電路中還有一個重要元件,就是MOSFET,它在電路中起著開關的用途,由于它直接串接在電池與外部負載之間,因此它的導通阻抗對電池的性能有影響,當選用的MOSFET較好時,其導通阻抗很小,電池包的內(nèi)阻就小,帶載能力也強,在放電時其消耗的電能也少。


5、過電流保護


由于鋰離子電池的化學特性,電池生產(chǎn)廠家規(guī)定了其放電電流最大不能超過2C(C=電池容量/小時),當電池超過2C電流放電時,將會導致電池的永久性損壞或出現(xiàn)安全問題。電池在對負載正常放電過程中,放電電流在經(jīng)過串聯(lián)的2個MOSFET時,由于MOSFET的導通阻抗,會在其兩端出現(xiàn)一個電壓,該電壓值U=I*RDS*2,RDS為單個MOSFET導通阻抗,控制IC上的V-腳對該電壓值進行檢測,若負載因某種原因?qū)е庐惓#够芈冯娏髟龃螅敾芈冯娏鞔蟮绞筓>0.1V(該值由控制IC決定,不同的IC有不同的值)時,其DO腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷海筕1由導通轉(zhuǎn)為關斷,從而切斷了放電回路,使回路中電流為零,起到過電流保護用途。在控制IC檢測到過電流發(fā)生至發(fā)出關斷V1信號之間,也有一段延時時間,該延時時間的長短由C3決定,通常為13毫秒左右,以防止因干擾而造成誤判斷。在上述控制過程中可知,其過電流檢測值大小不僅取決于控制IC的控制值,還取決于MOSFET的導通阻抗,當MOSFET導通阻抗越大時,對同樣的控制IC,其過電流保護值越小。


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