1、硅片切割，材料準備：

工業制作硅電池所用的單晶硅材料，一般采用坩鍋直拉法制的太陽級單晶硅棒，原始的形狀為圓柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的邊長一般為10~15cm，厚度約200~350um，

電阻率約1.cm的p型（全球節能環保網摻硼）。

2、去除損傷層：硅片在切割過程會出現大量的表面缺陷，這就會出現兩個問題，首先表面的質量較差，另外這些表面缺陷會在電池制造過程中導致碎片增多。因此要將切割損傷層去除，一般采用堿或酸腐蝕，腐蝕的厚度約10um。

3、制絨：

制絨，就是把相對光滑的原材料硅片的表面通過酸或堿腐蝕，使其凸凹不平，變得粗糙，形成漫反射，減少直射到硅片表面的太陽能的損失。關于單晶硅來說一般采用NaOH加醇的方法腐蝕，利用單晶硅的各向異性腐蝕，在表面形成無數的金字塔結構，堿液的溫度約80度，濃度約1~2%，腐蝕時間約15分鐘。關于多晶來說，一般采用酸法腐蝕。

4、擴散制結：擴散的目的在于形成PN結。普遍采用磷做n型摻雜。由于固態擴散要很高的溫度，因此在擴散前硅片表面的潔凈非常重要，要求硅片在制絨后要進行清洗，即用酸來中和硅片表面的堿殘留和金屬雜質。

5、邊緣刻蝕、清洗：

擴散過程中，在硅片的周邊表面也形成了擴散層。周邊擴散層使電池的上下電極形成短路環，必須將它除去。周邊上存在任何微小的局部短路都會使電池并聯電阻下降，以至成為廢品。目前，工業化生產用等離子干法腐蝕，在輝光放電條件下通過氟和氧交替對硅用途，去除含有擴散層的周邊。擴散后清洗的目的是去除擴散過程中形成的磷硅玻璃。

6、沉積減反射層：沉積減反射層的目的在于減少表面反射，新增折射率。廣泛使用PECVD淀積SiN，由于PECVD淀積SiN時，不光是生長SiN作為減反射膜，同時生成了大量的原子氫，這些氫原子能對多晶硅片具有表面鈍化和體鈍化的雙重用途，可用于大批量生產。

7、絲網印刷上下電極：電極的制備是太陽電池制備過程中一個至關重要的步驟，它不僅決定了發射區的結構，而且也決定了電池的串聯電阻和電池表面被金屬覆蓋的面積。最早采用真空蒸鍍或化學電鍍技術，而現在普遍采用絲網印刷法，即通過特殊的印刷機和模版將銀漿鋁漿（銀鋁漿）印刷在太陽電池的正背面，以形成正負電極引線。

8、共燒形成金屬接觸：晶體硅太陽電池要通過三次印刷金屬漿料，傳統工藝要用二次燒結才能形成良好的帶有金屬電極歐姆接觸，共燒工藝只需一次燒結，同時形成上下電極的歐姆接觸。在太陽電池絲網印刷電極制作中，通常采用鏈式燒結爐進行快速燒結。