導(dǎo)讀：巴基斯坦和日本的一個(gè)研究小組正在尋求通過(guò)應(yīng)用硒化銻制成的背表面場(chǎng)（BSF）層來(lái)提高異質(zhì)結(jié)碲化鎘鎘太陽(yáng)能電池的效率。它聲稱(chēng)添加該化合物可將CdTe電池效率提高約9％，并具有達(dá)到40％以上效率的技術(shù)潛力。

太陽(yáng)能電池的方案。圖片：拉賈沙希大學(xué)

來(lái)自孟加拉國(guó)Rajshahi大學(xué)和日本埼玉大學(xué)的研究人員展示了一種基于碲化鎘(CdTe)的雙異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，它包含硒化鎘(CdSe)和硒化銻(Sb2Se3)。

研究合著者JakerHossain表示，我們?cè)O(shè)計(jì)并模擬了提議的結(jié)構(gòu)。它還沒(méi)有在真正的光伏組件中進(jìn)行測(cè)試，但我們正在制造真正的電池。他還解釋說(shuō)，CdSe和CdTe已經(jīng)通過(guò)旋轉(zhuǎn)鍍膜方法制造出來(lái)，研究小組現(xiàn)在正專(zhuān)注于CdSe和Sb2Se3背表面場(chǎng)(BSF)層的解決過(guò)程。然后，我們將準(zhǔn)備實(shí)用的細(xì)胞，他補(bǔ)充說(shuō)。

“DesignofahighlyefficientCdTe-baseddual-heterojunctionsolarcellwith44%predictedefficiency”,科學(xué)家解釋說(shuō),CdSe是一種n型族化合物半導(dǎo)體的直接帶隙1.7eV,很大程度上是利用在發(fā)光二極管、太陽(yáng)能電池和光電化學(xué)電池。Sb2Se3是一種p型無(wú)機(jī)半導(dǎo)體，具有斜方晶結(jié)構(gòu)，直接帶隙為1.2~1.9eV。

巴基斯坦-日本研究小組特別研究了CdSeBSF層的加入對(duì)異質(zhì)結(jié)電池性能的影響，這取決于該層的厚度和載流子密度。例如，他們確定當(dāng)BSF層厚度從0增加到50nm時(shí)，電池開(kāi)路電壓從0.89增加到1.1V，當(dāng)BSF層厚度從0增加到200nm時(shí)，短路電流從28.5mA/cm2增加到31.5mA/cm2。當(dāng)CdSe厚度超過(guò)50nm時(shí)，電池效率整體提高，短路電流減小。

對(duì)于模擬電池，研究團(tuán)隊(duì)報(bào)告了厚度為100nm時(shí)的最高效率為32.6%，同時(shí)提供了1.15V的開(kāi)路電壓、32.48mA/cm2的短路電流和88.76%的填充因子。

通過(guò)增加CdSeBSF層的載流子濃度并保持50nm的厚度，科學(xué)家們能夠?qū)⒛M電池的轉(zhuǎn)換效率提高到44.14%。該器件的短路電流為49.23mA/cm2，開(kāi)路電壓為1.05V，填充系數(shù)為85.71%。

論文指出，對(duì)不同界面缺陷密度的研究表明，界面缺陷密度對(duì)cdte基雙異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的性能有巨大影響。界面缺陷是由兩種材料各自的結(jié)構(gòu)缺陷引起的，而金屬陽(yáng)離子在電池制造過(guò)程中通過(guò)吸收層擴(kuò)散是界面缺陷的主要來(lái)源。

然而，研究人員表示，通過(guò)使用高效沉積技術(shù)和在電池制造過(guò)程中高度注意的Sb2Se3濃度，可以將界面缺陷的影響降到最低。