聚合物阻變存儲器具有結(jié)構(gòu)簡單、可設(shè)計性強(qiáng)、制備容易以及成本低等優(yōu)點(diǎn)，在下一代數(shù)據(jù)存儲和邏輯電路等方面有著廣泛的應(yīng)用前景，引起了學(xué)術(shù)界及產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注。其中非易失性一次寫入多次讀取(WORM)存儲器具有非易失性和不可擦除的特性，可以實(shí)現(xiàn)存儲數(shù)據(jù)有效可靠地永久保存，在重要檔案、數(shù)據(jù)庫及電子標(biāo)簽等領(lǐng)域具有應(yīng)用價值。前期研究工作中，研究者主要集中于器件中間層活性存儲材料的設(shè)計與制備，諸如有機(jī)-無機(jī)雜化材料、給體-受體共軛聚合物、金屬配合物和構(gòu)象轉(zhuǎn)變聚合物等，面臨著材料復(fù)雜、可靠性低等挑戰(zhàn)。因此，如何實(shí)現(xiàn)一種基于簡單材料、制備簡單、可靠性高聚合物存儲器的普適制備具有實(shí)際意義。

近日，南京工業(yè)大學(xué)先進(jìn)材料研究院黃維院士與劉舉慶教授課題組受智于生活中閃電現(xiàn)象(既尖端產(chǎn)生高電場易擊穿絕緣體導(dǎo)通)，采用表面褶皺石墨烯薄膜為電極，中間存儲活性層采用常見的廉價絕緣性聚合物(諸如PMMA、PS、PVP等)，實(shí)現(xiàn)了一種非易失性高性能聚合物阻變存儲器件的普適性制備。該器件展現(xiàn)了典型的WORM存儲特性，具有優(yōu)異的重復(fù)性、較低的寫入電壓(2.7V）、較高的開關(guān)比(104)、良好的保持特性(104s)、柔性存儲等特性。通過一系列基于不同形貌電極的同種聚合物器件進(jìn)行對比發(fā)現(xiàn)，表面褶皺是器件實(shí)現(xiàn)阻變存儲特性的關(guān)鍵。該種聚合物阻變存儲器具有材料普遍、可柔性制備、重現(xiàn)性好，性能高等突出優(yōu)點(diǎn)，為聚合物存儲技術(shù)的柔性化及應(yīng)用化研究提供了有益借鑒。