一、對短路電流Jsc的影響

當使用更薄的多晶硅片時，要面臨的一個問題是表面的復合與基區(qū)的材料質(zhì)量。已經(jīng)有實驗證實，在使用SiNx作為前表面鈍化層和Al作為背面場(BSF)時，當多晶硅片厚度大于200um，Jsc與硅片厚度是相互獨立的關(guān)系，只有硅片厚度小于200um，Jsc才隨著厚度的減少而減少。BSF能阻礙光生少子向背表面運動，降低背表面復合，有利于p/n結(jié)對載流子的收集。厚度低時，基體對入射光的吸收減少，此時BSF對太陽電池的短路電流密度的影響就更明顯。SiNx作為前表面鈍化層可以降低表面復合并且提高基區(qū)材料的質(zhì)量。但是，當硅片厚度很低時，很低低能量光子將穿過硅片而不能被吸收，Jsc會出現(xiàn)降低的趨勢。

二、硅片厚度對開路電壓Voc的影響

在多晶硅太陽電池的背面使用AL-BSF時，如果硅片厚度大于200um，開路電壓Voc與硅片厚度就是獨立的關(guān)系。硅片比較厚時，Voc與硅片厚度相互獨立。

三、硅片厚度效率的影響

在硅片厚度大于200um時，使用AL-BSF的多晶硅太陽電池的效率是與硅片厚度相互獨立的。對于厚度小于200um的硅片，高基區(qū)質(zhì)量的太陽電池效率會隨著厚度減小而減少，對于低基區(qū)質(zhì)量的太陽電池，效率仍然是常數(shù)。

在標準的工業(yè)出來條步驟下，200um的硅片厚度是多晶硅太陽電池性能減少的起始點。當多晶硅片厚度小于200um時，多晶硅太陽電池的主要電學參數(shù)開始減少。在降低硅片厚度以減少光伏成本時，要使用有效的表面鈍化方法來減少表面復合與提高基區(qū)質(zhì)量。