太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝流程分為硅片檢測(cè)——外貌制絨——擴(kuò)散制結(jié)——去磷硅玻璃——等離子刻蝕——鍍減反射膜——絲網(wǎng)印刷——快速燒結(jié)等。具體介紹如下：

一、硅片檢測(cè)

硅片是太陽(yáng)能電池片的載體，硅片質(zhì)量的優(yōu)劣直接決定了太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率的崎嶇，因此必要對(duì)來料硅片舉行檢測(cè)。該工序緊張用來對(duì)硅片的一些技能參數(shù)舉行在線測(cè)量，這些參數(shù)緊張包羅硅片外貌不屈整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組配置分自動(dòng)上下料、硅片傳輸、體系整合部門和四個(gè)檢測(cè)模塊。此中，光伏硅片檢測(cè)儀對(duì)硅片外貌不屈整度舉行檢測(cè)，同時(shí)檢測(cè)硅片的尺寸和對(duì)角線等表面參數(shù)；微裂紋檢測(cè)模塊用來檢測(cè)硅片的內(nèi)部微裂紋；別的另有兩個(gè)檢測(cè)模組，此中一個(gè)在線測(cè)試模組緊張測(cè)試硅片體電阻率和硅片范例，另一個(gè)模塊用于檢測(cè)硅片的少子壽命。在舉行少子壽命和電阻率檢測(cè)之前，必要先對(duì)硅片的對(duì)角線、微裂紋舉行檢測(cè)，并自動(dòng)剔除破壞硅片。硅片檢測(cè)配置可以大概自動(dòng)裝片和卸片，并且可以大概將不合格品放到牢固位置，從而提升檢測(cè)精度和效率。

二、外貌制絨

單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐化，在每平方厘米硅外貌形成幾百萬個(gè)四面方錐體也即金字塔布局。由于入射光在外貌的多次反射和折射，增長(zhǎng)了光的汲取，提升了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐化液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多利用自制的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅，腐化溫度為70-85℃。為了得到勻稱的絨面，還應(yīng)在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡(luò)合劑，以加快硅的腐化。制備絨面前，硅片須先舉行開端外貌腐化，用堿性或酸性腐化液蝕去約20～25μm，在腐化絨面后，舉行一樣平常的化學(xué)洗濯。顛末外貌準(zhǔn)備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應(yīng)盡快擴(kuò)散制結(jié)。

三、擴(kuò)散制結(jié)

太陽(yáng)能電池必要一個(gè)大面積的PN結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換，而擴(kuò)散爐即為制造太陽(yáng)能電池PN結(jié)的專用配置。管式擴(kuò)散爐緊張由石英舟的上下載部門、廢氣室、爐體部門友好柜部門等四大部門組成。擴(kuò)散一樣平常用三氯氧磷液態(tài)源作為擴(kuò)散源。把P型硅片放在管式擴(kuò)散爐的石英容器內(nèi)，在850---900攝氏度高溫下利用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜鳎h決三氯氧磷和硅片舉行應(yīng)聲，得到磷原子。顛末肯定時(shí)間，磷原子從四周進(jìn)入硅片的外貌層，并且議決硅原子之間的清閑向硅片內(nèi)部滲入滲出擴(kuò)散，形成了N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的接壤面，也便是PN結(jié)。這種要領(lǐng)制出的PN結(jié)勻稱性好，方塊電阻的不勻稱性小于百分之十，少子壽命可大于10ms。制造PN結(jié)是太陽(yáng)電池生產(chǎn)最根本也是最要害的工序。因?yàn)檎荘N結(jié)的形成，才使電子和空穴在流動(dòng)后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導(dǎo)線將電流引出，便是直流電。