哈梅林太陽能研究所（ISFH）和漢諾威萊布尼茲大學的電子材料及器件研究所（MBE）已經成功完成CHIP項目。該項目以工業離子注入n型PERT（鈍化發射極和背面電池，后共摻雜）太陽能電池來提升電池的轉化效率。

在CHIP項目中，植入損傷退火的驅動機制已經通過科學檢查，其中特別關注非晶硼和非晶化BFX植入物。由于光伏注入機一般不配備大規模分離器，因此，重要是植入BF2，而不是基本的硼。

退火過程處理工藝已經被應用于工業n型PERT電池處理過程當中，處理過程相當精簡：156毫米156個毫米大的n型直拉晶片經過雙面紋理后，前側注入硼或BF2，后側注入磷。注入損傷經過高溫退火（共退火），而BF2的使用使得退火所需的溫度大大降低。

退火后，前側是被氧化鋁/氮化硅疊層鈍化，后側被氮化硅鈍化。接著，在正面和背面進行絲網印刷，然后進行共燒。利用細線印刷技術白銀消費量可減少到最低限度。（Tina譯）